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    俄罗斯计划研发全新EUV光刻机 号称要达到EUV级别

    光刻机是半导体制造中的核心设备之一,EUV光刻机全球也只有ASML公司能够研发、生产,但它的技术限制也很多,俄罗斯计划开发全新的EUV光刻机,使用的是X射线技术,不需要光掩模就能生产芯片。

    光刻机的架构及技术很复杂,不过决定光刻机分辨率的主要因素就是三点,分别是常数K、光源波长及物镜的数值孔径,波长越短,分辨率就越高,现在的EUV光刻机使用的是极紫外光EUV,波长13.5nm,可以用于制造7nm及以下的先进工艺工艺。

    俄罗斯莫斯科电子技术学院 (MIET)现在就接下了贸工部的6.7亿卢布资金(约合5100万元人民币),也要开发制造芯片的光刻机,而且号称要达到EUV级别,但技术原理完全不同,他们研发的是基于同步加速器和/或等离子体源”的无掩模X射线光刻机。

    X射线光刻机使用的是X射线,波长介于0.01nm到10nm之间,比EUV极紫外光还要短,因此光刻分辨率要高很多。

    此外,X射线光刻机相比现在的EUV光刻机还有一个优势,那就是不需要光掩模版,可以直写光刻,这也节省了一大笔费用。

    正因为有这么两个特点,俄罗斯要研发的X射线光刻机优势很大,甚至被当地的媒体宣传为全球都没有的光刻机,ASML也做不到。

    从相关资料来看,全球确实没有能达到规模量产的X射线光刻机,不过这种技术并不是现在才有,不仅美国、欧洲研究过,国内也有科研机构做了X射线光刻机,只是生产芯片的效率跟ASML的光刻机不能比的,只适合特定场景。

    不过俄罗斯在X射线及等离子之类的技术上有深厚的基础,倒是可以期待下他们在新型光刻机上能走多远。

    标签: 核心设备 EUV光刻机 X射线技术 光掩模版

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